ТУННЕЛЬНЫЙ РАСТРОВЫЙ МИКРОСКОП, прибор, основанный на возникновении так называемого туннельного тока между поверхностью проводника и металлическим острием, удаленным от нее на расстояние z около 0,1 нм (при разности потенциалов между ними порядка 1 В). При перемещении острия вдоль поверхности (сканировании) и поддержании тока постоянным за счет изменения z можно получить рельеф> поверхности проводника с точностью до размеров атомов и молекул, т.е. Исследовать атомное строение поверхности, структуру отдельных молекул, адсорбцию, поверхностные химические процессы и др. За создание туннельного растрового микроскопа в 1986 Э. Руске, Г. Биннингу (ФРГ) и Г. Рореру (Швейцария>) присуждена Нобелевская премия..