– транзистор с тремя чередующимися ПП областями электронного (м) или дырочного (р) типа проводимости, в к-ром протекание рабочего тока обусловлено носителями заряда обоих знаков (электронами и дырками). Различают Б. Т.п – р – п- и р – п – р-типа (см. Рис.). Средняя область Б. Т. (её обычно делают очень тонкой – неск. Мкм и менее) наз. Базой, две другие – эмиттером и коллектором. База отделена от эмиттера и коллектора р – п-переходами, соответственно эмиттерными коллекторным. Принцип действия Б. Т. Осн. На управлении потоком неосн. Носителей заряда, протекающим через базу. Эмиттерный переход смещён в прямом направлении и обеспечивает инжекцию неосн. Носителей заряда, коллекторный – смещён в обратном направлении и обеспечивает собирание неосн.