Возникновение ВЧ колебаний электрич. Тока в ПП образце с N-образной вольтамперной характеристикой (см. Рис.) под действием сильного пост. Электрич. Поля (напряжённостью ~ 105 В/м). Г. Э. Связан с периодич. Появлением в однородном ПП кристалле и перемещением по нему области сильного электрич. Поля – электрич. Домена, наз. Доменом Ганна. Образование электрич. Доменов обусловлено нарастанием к.-л. Неоднородности в распределении электрич. Поля (напр., локальной флуктуации плотности заряда, возникшей в результате неоднородного легирования) в среде с отрицат. Дифференц. Проводимостью. Частота ВЧ колебаний обратно пропорциональна длине образца. Так, в кристалле арсенида галлия GaAs длиной 50 – 30 мкм частота колебаний ~ 0,3 – 2 ГГц. Используется в генераторах и усилителях СВЧ.