Гетеропереход

Контакт между двумя разнородными по хим. Составу или (и) фазовому состоянию полупроводниками, например Ge – Si, GaAlAs GaAs, InAs – Ge. Г. Получают методом эпитаксиального наращивания одного монокристалла (из газовой фазы) на др. В зависимости от типа проводимости контактирующих материалов различают Г. Анизотипные (р – n-Г.) и изотипные (п – n-Г., р – р-Г.). Наибольший практич. Интерес представляют Г., св-ва к-рых обусловлены различиями в значениях ширины запрещённой зоны (см. Зонная теория) и энергии сродства к электрону контактирующих ПП. Г. Используются в разл. ПП приборах. Переключателях в быстродействующих логич. Схемах для ЭВМ, светоизлучающих диодах. ПП лазерах и т. Д. См. Также Гомопереход.