Биполярный транзистор, в к-ром используется явление лавинного пробоя в ПП – лавинного умножения силы тока в коллекторном переходе. Образование подвижных носителей в области объёмного заряда коллектора компенсирует их потери в Л. Т. На инжекцию и перенос, и коэфф. Усиления по току а устанавливается равным или больше 1. Л. Т. Отличаются от обычных транзисторов наличием отрицат. Сопротивления участка эмиттер – коллектор. Для изготовления Л. Т. Используют кремниевые и германиевые эпитаксиальные структуры р+ – р- и n+ – n-типа. Базовая область создаётся методом диффузии или имплантации. Л. Т. Применяют в импульсных устройствах для формирования мощных импульсов силы тока (до десятков А) со временем нарастания менее 10-9 с.