Полупроводниковый диод, выполненный на основе ПП (обычно германия или арсенида галлия) с высокой концентрацией примесей, в к-ром протекание тока обусловлено при обратном напряжении туннельным эффектом, а при прямом – только инжекц. Процессами. От туннельного диода отличается низким значением силы пикового тока (ок. 100 мкА). В О. Д. Уже при малых обратных напряжениях (десятки мВ) сила обратного тока оказывается больше силы прямого (диффузионного) тока. Эта особенность послужила основанием для назв. Прибора. Применяется гл. Обр. В СВЧ детекторах и смесителях, в быстродействующих переключателях и импульсных схемах.