Двухэлектродный полупроводниковый прибор (на основе кремния, арсенида галлия, германия и др.), действие к-рого обусловлено св-вами р – п-перехода (наиболее обширный класс П. Д.), контакта металл – полупроводник либо объёмными эффектами в однородном ПП (напр., Ганка диод). По конструктивно-технологич. Особенностям различают плоскостные П. Д., изготовленные методами диффузии и вплавления примесей, ионной имплантации, эпитаксиального наращивания, вакуумного напыления и др., и точечные П. Д., получаемые прижатием к ПП кристаллу пружинящей металлич. Иглы. П. Д. Применяются в широком диапазоне радиочастот (вплоть до сотен ГТц) гл. Обр. Для выпрямления пе- ** Поребрик (указан стрелкой) К ст. Порошковая металлургия. Схема прокатки порошков в металлургическую ленту.