Лазер, в к-ром активной средой служат полупроводники (арсенид галлия GaAs, сульфид кадмия CdS, сульфид свинца PbS и др.) или их сплавы [(Ga, Al)As, GaAs – InP и др.]. Преобразование приложенной электрич. Энергии в лазерное излучение в П. Л. Происходит за счёт вынужденных процессов рекомбинации неравновесных носителей заряда. По способу возбуждения (накачки) активной среды П. Л. Делятся на 3 осн. Класса. Инжекционные лазеры, в к-рых создание неравновесн. Носителей заряда осуществляется в результате протекания инжекционного тока в ПП структуре с р – n-переходом. П. Л. С электронным возбуждением, в к-рых неравновесн. Носители создаются при накачке ПП потоком ускоренных электронов. П. Л. С оптическим возбуждением, в к-рых накачка производится оптич.