Класс многофункциональных интегральных полупроводниковых приборов, содержащих совокупность однотипных элементов, расположенных на единой ПП (как правило, кремниевой) подложке. Действие осн. На перемещении заряда, накопленного в элементах, последовательно по цепочке этих элементов в ПП. Выполняются в виде интегральных схем либо входят в состав ИС наряду с др. Интегральными ПП приборами. Элементом П. С п. З. Обычно служит металл – оксид – полупроводник-структура (МОП-структура), в к-рой происходит накопление и сохранение неосновных носителей заряда. Перемещением накопленного (информац.) заряда управляют, изменяя напряжение на электродах МОП-структур путём подачи на них определ. Последовательности импульсов напряжения.