Интегральная схема, в к-рой все активные элементы (напр., диоды, транзисторы) выполнены в объёме и на поверхности ПП подложки по пленарной технологии, а пассивные элементы (напр., резисторы, конденсаторы) и межэлементные соединения нанесены в виде плёнок на поверхность сформированной монолитной структуры. По сравнению с полупроводниковыми интегральными схемами С. И. С. Имеют больший диапазон номин. Значений и более высокую стабильность пассивных элементов. Однако достоинства С. И. С. Достигаются за счёт увеличения числа технологич. Операций и нарушения единства технология, цикла. По степени интеграции С. И. С. Приближаются к ПП ИС.