(n – p – переход), переход между двумя частями полупроводника, одна из которых имеет электронную (n), а другая – дырочную (p) электрические проводимости (соответственно n – и p – области). Поскольку концентрация дырок в р – области значительно выше, чем в n – области, дырки изр – области стремятся перейти в n – область. Точно так же электроны из n – области устремляются в р – область. В результате взаимной диффузии зарядов на границе между двумя частями полупроводника образуется двойной слой пространственного заряда – отрицательные заряды в р – области и положительные заряды в n- области. Возникающее при этом контактное электрическое поле по величине и направлению таково, что оно противодействует диффузии свободных носителей тока через переход.Чтобы пройти через электронно-дырочный переход, основным носителям заряда (электронам в n – области и дыркам в р – области) приходится преодолевать контактное поле – потенциальный барьер.