полупроводниковый прибор для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний, выполненный на основе монокристаллического полупроводника (преимущественно кремния Si, германия Ge или арсенида галлия), содержащего не менее трёх областей с различной – электронной (n) и дырочной (р) — проводимостью. Изобретён в 1948 г. Американцами У. Шокли, У. Браттейном и Дж. Бардином. По физической структуре и механизму управления током различают транзисторы биполярные (чаще называют просто транзисторами) и униполярные (чаще называют полевыми транзисторами). В первых, содержащих два или более электронно-дырочных перехода, носителями заряда служат как электроны, так и дырки, во вторых – либо электроны, либо дырки.Внешний вид транзисторовБиполярный транзистор представляет собой пластинку германия, кремния или другого полупроводника, в объёме которого искусственно созданы две области, противоположные по электрической проводимости.